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*本课程仅供学习使用,不得用于任何商业用途,违者必究。
解读标准:
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课程简介:

该课程系统的对6项标准进行解读

序号

标准编号

标准名称

公告号


1

GB/T 45719-2025

半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验

2025

第13号


2

GB/T 45716-2025

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

3

GB/T 45722-2025

半导体器件 恒流电迁移试验

4

GB/T 45721.1-2025

半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验

5

GB/T 45720-2025

半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验

6

GB/T 45718-2025

半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验


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